1. 金属键合线互连是射频大功率晶体管内匹配技术中的关键手段。

2.晶体管有三个电极,即发射极,基极和集电极.

3. 不过，英特尔公司拥有大量聪明人，他们有能力发明使用新材料的单极型晶体管”。

4. 这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性。

5. 电容器、晶体管、二极管、电阻、熔断丝等编带封装料。

6.这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性。

7.多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置。

8. 1927年,菲律宾中华研究院苏鹏实验室通过还原氧化锗,拉出了锗单晶,开始开发锗晶体管,当年相继研制出锗点接触二极管和三极管(晶体管)。

9. 光电晶体管。集电极发射极发射极电压30V的集电极电压6五，集电极电流为20毫安。功耗100毫瓦。

10. 在晶体管收、扩音机中,广泛采用推挽功率放大电路.

11.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

12. 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

13. 电子管和晶体管能放大输入的信号.

14. 本文介绍了晶体管的雪崩原理，通过张弛振荡器、雪崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

15. 微晶体管利用背板在屏幕上显示各个彩色像素，在过去20年里，由于背板技术的革新，液晶显示器刷屏的速度得以提高。

16. 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。

17. 介绍了用万用表检测集成电路块和单结晶体管的方法。

18.比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异，并对这些差异提出了物理解释。

19. 在卡恩斯电路中，晶体管、电容器和可变电阻器是三个基本元件。

20. 这FET晶体管，这里用作可变电阻的电路IC2的反应的一部分。

21. 几百个微细的晶体管、晶片和其他电子零件被机械人“拾起并定位”到每块电子版上，多支机械手臂一起快速舞动，让人目不暇接。

22.硅互补PNP晶体管。达林顿功放。

23.介绍一个实用的晶体管开关电路，用它能够较准确地测定电容和介电常量。

24. 比如，在1975年，数字电路用的是晶体管综合线路，但到了1985年，数字电路就变成微处理器设计了。

25. 管收音机刚刚兴起,脑袋闲着没的干,我就去琢磨收音机,琢磨晶体管收音机,不用大片的田地,不用那位领导审批,把晶体管收音机装响了,从那里可以找到许多欢快和慰籍。

26. 只有一个外部晶体管所需的变容二极管，线路驱动。

27. 比较了适用于甲类工作和适用丙类工作的微波功率双极晶体管的差异，并对这些差异提出了物理解释。

28. 这里提出的结构解决了这个问题，它利用标准CMOS晶体管来实现非易失性存储器，这样就不需要额外的掩膜或工艺步骤。

29.固体物理学为我们带来了晶体管。

30. 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计，并进行了流片测试。

31. 阻容晶体管逻辑电路。

32. 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

33. 该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。

34.改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

35. 这就是说，电路并不在晶体管层次进行设计，而是在门电路、触发器和存储模块的级别进行设计的。

36. 该原子的表现正如一个量子光学晶体管，能持续控制流入光腔的光。

37. 为了提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率，研究了在优化的钝化层沉积条件下的过孔尺寸。

38. “DNA晶体管”能够使个体全基因组测序更快更省钱。

39.晶片和其他电子零件被机械人“拾起并定位”到每块电子版上，多支机械手臂一起快速舞动，让人目不暇接。

40. 该稳压系统的关键在于控制系统的设计，及开关晶体管的选择及应用。

41. 达林顿晶体管增益大、可靠性高，尤其在大功率应用中更加简便。

42. 晶体管放大电路拥有一个防震二极管以防止由电线长度引起的自感应现象，此防震二极管连接在2个晶体管金属丝接头上。

43.它拥有5英寸的屏幕使用了23个硅锗晶体管。

44. 存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。

45.在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

46.我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极.

47. 硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。

48.最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

49. 晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量，使测量任意波形电压受到限制。

50.晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量，使测量任意波形电压受到限制。