1.在不同的衬底温度下用射频溅射方法制备了氮化碳薄膜。

2.本文中，我们探讨了水热合成立方氮化硼过程中，二次氮源的加入温度对产物中物相种类及其含量的影响。

3.目前，正丁烷脱氢异构催化剂可以分为两类，过渡金属双功能催化剂和过渡金属氮化物、碳化物和碳氧化物催化剂。

4.研究以碳作为还原剂，还原氮化五氧化二钒制备氮化钒过程中的还原氮化反应动力学。

5.论述了氮化硅陶瓷材料的特点，选择了氮化硅陶瓷轴承作为有机硅室温胶搅拌釜底轴承并进行了相应设计。

6.这篇論文中，我们使用脉冲电流探讨直流电流下，高功率氮化镓发光二极体发光效率衰减的因素。

7.卤素原子同氮化合物一样，作为净化剂。

8.通过将石墨烯薄片放置在一个氮化硅薄膜上，并用电子束在石墨烯上打出纳米尺度的孔，他们制作出了一系列从5到25nm直径的孔。

9.目前，正丁烷脱氢异构催化剂可以分为两类，过渡金属双功能催化剂和过渡金属氮化物、碳化物和碳氧化物催化剂。

10.研究了烧结技术对氮化硅陶瓷显微结构和力学性能的影响。

11.本公司是金刚石和立方氮化硼工具制品的专业制造企业。

12.目的寻找盐酸洛美利嗪等含氮化合物呈现特殊核磁图谱的内在原因.

13.富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。

14.采用改进的升华法在氮气环境下制备氮化铝单晶体.

15.本文分析了氮化硼纳米管的结构对称性，并对其晶格振动模的对称性进行了分类。

16.K326生长期间进行打顶和未打顶处理，研究鲜烟叶片蛋白酶及含氮化合物的变化规律。

17.而向立方型氮化硼的转变其晶体的切变是必不可少的，这种相变主要依靠高压下位错运动而产生。

18.最后，本文建立了一个聚晶立方氮化硼刀具在风冷条件下切削淬硬钢的有限元分析模型。

19.CBN115黑色立方氮化硼单晶，中等韧性，主要用于树脂、陶瓷、电镀结合剂磨具、砂轮、工具制造。

20.硬铬层中的网状裂纹经离子氮化后裂纹闭合，使硬铬层的耐蚀性显著提高。

21.另一篇不错的宽能隙氮化物系列的论文.

22.为了研究叠氮化物的热解与光解机理发展了一些新式仪器，得到了一些与早期不同的实验结果。

23.采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。

24.研究了过渡金属元素氧化物对铝型材模具在盐浴氮化中的影响.

25.实验发现气凝法生成的氮化镓奈米微粒以均匀的圆球形分布.

26.为了研究叠氮化物的热解与光解机理发展了一些新式仪器，得到了一些与早期不同的实验结果。

27.但是，不断增加的工作频率和带宽，将为如砷化镓和氮化镓等化合物半导体打开一扇大门。

28.汽巴公司发明了用极性电压法控制连续重氮化过程中亚硝酸盐加入速度的探测系统，赫斯特公司发明了连续式偶合装置。

29.吡咯类含氮化合物作为油气运移示踪剂有其独特的优势。

30.晶体表面上杂质、缺陷、生长中心和台阶结构的显微观察表明，高温高压下合成的立方氮化硼晶体具有通常条件下晶体生长的一般特征。

31.CBN230金黄色立方氮化硼单晶，等积形透明晶体，高韧性，高强度。适用于电镀、陶瓷、金属结合剂体系磨具、砂轮、工具制造。其制品使用寿命长。

32.研究了烧结技术对氮化硅陶瓷显微结构和力学性能的影响。

33.吡咯类含氮化合物作为油气运移示踪剂有其独特的优势。

34.通过纳米制备技术研究者在氮化硅中刻蚀出许多空洞以构成所需图案，使得波导具有合适的隐形折射率。

35.本文在离子氮化装置及离子氮化工艺试验研究的基础上，根据气体放电理论，提出并讨论了双层辉光放电现象。

36.发展方向为脱硫及余热回收发电、氮化镓.

37.本文还对烧结氮化硅样中氧的联测结果进行了讨论.

38.氮化可明显提高镗轴的耐磨性.

39.研究了在盐酸介质中微量亚硝酸根与亚甲紫发生的重氮化反应，建立了测定微量亚硝酸根的新方法。

40.从颜色而言,雷达已经制作出铂金色,玫瑰金,黄金和金属色泽的高科技陶瓷,今年我们推出的钻霸系列使用了氮化硅氮化钛,使得腕表呈现出仿古的铜色。

41.以内毒素标准品为参考标准，采用当显色基质重氮化法测定牙周病优势菌LPS的鲎活性当量。

42.同时,我们也针对在不同长晶温度下以氮化镓为基底的氧化锌薄膜结构进行研究.

43.本公司是一家集医药中间体研发、生产、销售为一体的、按现代企业制度运作的股份企业。目前产品以有机卤化物、有机硅化物、氮化物系列产品为主。

44.介绍了利用金属锰粉采用固态氮化法生产氮化锰的原理和工艺。

45.结果表明：五华、梅县烟叶特点是碳水化合物含量较高、含氮化合物含量相对较低，与其良好的光热条件有关。

46.方法：以对硝基苯甲酰氯为原料，经氨解、氢化、重氮化及偶合四步反应得到了巴柳氮。

47.1961年，北京第二机床厂开始采用气体氮化淬火。

48.随后,叠氮化脒异构化生成氨基四氮杂茂.

49.富士通公司指出使用氮化镓高电子迁移率晶体管技术后，新型放大器功率比目前使用砷化镓晶体管的放大器的功率提高了6倍多。

50.氮化硅陶瓷广泛用作高温结构材料，是很有前途的陶瓷材料之一。