1.通过在峰值存储单元中引入零点及在峰值检测电路中引入前馈，实现了对自动增益控制环阻尼特性的调整。

2.13, 由此可见,加数和被加数都应足够小,以便能够适合地装入一个存储单元.

3.字、数据块、存储桶、磁盘圆柱、磁道扇区等.

4.3, 量子计算机存储单元的相干脱散，破坏量子态中的信息，是量子计算机难以实现的主要原因之一。

5.9, 某些非晶体存储器中的一个存储单元.

6.你可以借助于压缩十进制数字的方法来节省大量的存储单元.

7.锁存器型敏感放大器和高速译码电路，以期达到最快的存取时间。

8.7, 触发器是构成时序逻辑电路的存储单元和核心部件.

9.在具有微程序控制的指令集的微型计算机中，它包含另外的控制存储单元。

10.触发器是构成时序逻辑电路的存储单元和核心部件.

11.14, 3D闪存是下一代闪存技术,相对于2D闪存技术,3D闪存把存储单元垂直叠加,可大幅提高存储器容量,但对制造工艺要求更高。

12.4, 你可以借助于压缩十进制数字的方法来节省大量的存储单元.

13.存储器采用六管CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路，以期达到最快的存取时间。

14.对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析，设计了一种高性能开关电流存储单元。

15.将一个或多个存储单元或者寄放器置成预先规定的状态，通常置成零状态。

16.存储容量和性能：通过根据需要动态地添加存储单元来实现。

17.存储器采用六管CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路，以期达到最快的存取时间。

18.压控电阻和传输门管的研究。

19.3D闪存是下一代闪存技术,相对于2D闪存技术,3D闪存把存储单元垂直叠加,可大幅提高存储器容量,但对制造工艺要求更高。

20.量子计算机存储单元的相干脱散，破坏量子态中的信息，是量子计算机难以实现的主要原因之一。

21.12, 在具有微程序控制的指令集的微型计算机中，它包含另外的控制存储单元。

22.11, 对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析，设计了一种高性能开关电流存储单元。

23.在某些系统中,任何一个离散的存储单元,如字节、字、数据块、存储桶、磁盘圆柱、磁道扇区等.

24.2, 存储容量和性能：通过根据需要动态地添加存储单元来实现。

25.分析了影响这种SRAM存储单元工作特性的各种因素，包括对其中的反相器、压控电阻和传输门管的研究。

26.在某些系统中,任何一个离散的存储单元,如字节、字、数据块、存储桶、磁盘圆柱、磁道扇区等.

27.存储器采用六管CMOS存储单元、锁存器型敏感放大器和高速译码电路，以期达到最快的存取时间。

28.1, 将一个或多个存储单元或者寄放器置成预先规定的状态，通常置成零状态。

29.10, 通过在峰值存储单元中引入零点及在峰值检测电路中引入前馈，实现了对自动增益控制环阻尼特性的调整。

30.某些非晶体存储器中的一个存储单元.

31.由此可见,加数和被加数都应足够小,以便能够适合地装入一个存储单元.