1.引用被氮化物污染的水对人体是有害的,甚至于,对于有效的孩童来说,是致命的.

2.双层辉光离子渗金属技术是在离子氮化基础上发展的表面冶金技术.

3.其做法是在纳米级氧化硅透明衬底上生长氮化硅波导，衬底的折射率远小于波导。

4.本实验利用两种不同制程的气凝法将奈米氮化镓沉积在液态氮冷凝阱上，收集此奈米粉进行更深入的光学及结构分析。

5.CBN230金黄色立方氮化硼单晶，等积形透明晶体，高韧性，高强度。适用于电镀、陶瓷、金属结合剂体系磨具、砂轮、工具制造。其制品使用寿命长。

6.氮化硅陶瓷刀具的使用提高了生产效率，降低了加工成本，有着广泛的应用前景。

7.这是因为叠氮化钠仅淬灭“工作反应”的化学发光信号，而其它的自由基淬灭剂则同时淬灭“工作反应”和“参比反应”的化学发光信号。

8.氧化物表层上面的氮化物保持原状不动.

9.本文主要介绍了用于软X射线显微术的氮化硅窗口的制备工艺，给出在国家同步辐射实验室软X射线显微术实验站使用的实验结果。

10.氮化硅、二氧化硅双层透明膜可用作硅PIN光电探测器抗反射膜。

11.研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。

12.简单地加入另外的气体例如乙炔,就能形成铬的碳氮化合物.

13.详细的分析了冰醋酸在重氮化反应中的溶剂效应。

14.令人意想不到的是，纤锌矿型氮化硼的惊人硬度居然源自原子间富于弹性的键。

15.将上述制备氮化物基脊型发光二极管的方法应用于氮化物基脊型激光器，可简化激光器的制备工艺。

16.通过将石墨烯薄片放置在一个氮化硅薄膜上，并用电子束在石墨烯上打出纳米尺度的孔，他们制作出了一系列从5到25nm直径的孔。

17.特殊阳离子重氮化合物，含其作为直接染料的组合物，角蛋白纤维染色方法及其装置。

18.美推出宇航及国防用新型氮化镓射频放大器。

19.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

20.最后，本文建立了一个聚晶立方氮化硼刀具在风冷条件下切削淬硬钢的有限元分析模型。

21.新的特殊阳离子重氮化合物，含其作为直接染料的组合物，角蛋白纤维染色方法及其装置。

22.采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。

23.氯离子对于水热法制备出氮化硼微晶具有非常明显的影响。

24.在高ECR等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜。

25.汽巴公司发明了用极性电压法控制连续重氮化过程中亚硝酸盐加入速度的探测系统，赫斯特公司发明了连续式偶合装置。

26.膜表面滤饼成分分析表明，除了生物去除之外，通过截留大分子溶解性和胶体含氮化合物，金属膜在脱氮方面发挥重要作用。

27.采用改进的升华法在氮气环境下制备氮化铝单晶体.

28.检测结果还表明，醛类物质、含硫含氮化合物以及呋喃类物质可能是影响合作猪肉风味的重要挥发性物质。

29.研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。

30.本文还对烧结氮化硅样中氧的联测结果进行了讨论.

31.晶体表面上杂质、缺陷、生长中心和台阶结构的显微观察表明，高温高压下合成的立方氮化硼晶体具有通常条件下晶体生长的一般特征。

32.介绍了侧链氯化、氧化、重氮化和偶合的工艺及设备。

33.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

34.论述了氮化硅陶瓷材料的特点，选择了氮化硅陶瓷轴承作为有机硅室温胶搅拌釜底轴承并进行了相应设计。

35.提高氮化合金的生产能力，降低生产成本，采用了PSA制氮系统。

36.挤出系统：变频调速电机、硬齿面减速箱加优质氮化料筒罗杆。

37.美推出宇航及国防用新型氮化镓射频放大器。

38.方法：以对硝基苯甲酰氯为原料，经氨解、氢化、重氮化及偶合四步反应得到了巴柳氮。

39.过渡金属氮化物是一类金属间充型化合物，兼具有共价化合物、离子晶体和过渡金属的性质。

40.本文针对无压烧结氮化硅的蠕变和慢裂纹生长性质进行了试验研究。

41.目的寻找盐酸洛美利嗪等含氮化合物呈现特殊核磁图谱的内在原因.

42.这篇論文中，我们使用脉冲电流探讨直流电流下，高功率氮化镓发光二极体发光效率衰减的因素。

43.论述了氮化硅陶瓷材料的特点，选择了氮化硅陶瓷轴承作为有机硅室温胶搅拌釜底轴承并进行了相应设计。

44.研究了微碳铬铁、氮化铬铁中钛与二安替比林甲烷的显色反应.

45.另一篇不错的宽能隙氮化物系列的论文.

46.研究了在盐酸介质中微量亚硝酸根与亚甲紫发生的重氮化反应，建立了测定微量亚硝酸根的新方法。

47.用一级轻气炮冲击加载装置，对氮化硅陶瓷进行了冲击性能实验研究。

48.随后,叠氮化脒异构化生成氨基四氮杂茂.

49.氧氮化物玻璃是一种特种玻璃。

50.介绍了利用金属锰粉采用固态氮化法生产氮化锰的原理和工艺。