1. 达林顿晶体管增益大、可靠性高，尤其在大功率应用中更加简便。

2.图尔表示，晶体管必须是纯粹的半导体才能传载信息。

3.最有意义的是里头还有一个冷子管,它由MIT在当年开发完成,这之后取代了计算机中复杂昂贵的晶体管。

4.另外，最近有其他研究人员研制出了纸基晶体管，米若因博士的可为带有这种晶体管的装置配电。

5. 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。

6.电容器和可变电阻器是三个基本元件。

7. 这也是我第一印象，很高兴得到你的认同，凤凰结合了胆机与晶体管机中最好的部分。

8. 本文讨论了复合开关晶体管的基本特性和开关特性，提供了实测数据和应用电路实例。

9.改变外电路形式，从而提高晶体管对电磁脉冲耐受性。

10.扩音机中,广泛采用推挽功率放大电路.

11. 许多探测器技术以非晶硅薄膜晶体管阵列为基础发展起来了，可是最成功和广泛应用的探测器被称为“间接”探测器。

12.本文从包括埋层影响的集区杂质分布出发，求出了寄生PNP晶体管的共基极电流放大系数。

13. 利用定时器NE556和程控单结晶体管，设计了一种新型多路脉冲分配器。

14. 该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布。

15.硅互补的NPN晶体管。音频放大器，驱动程序。

16. 复合晶体管，复合晶体管对，电流平方器和CMOS模拟乘法器。

17. 这导致主要产品是晶体管类扩音机，当然我们不排斥完全电池供电的胆机设备，虽然胆机电池供电重量和体积太大，对大多数人也不划算。

18. 该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。

19. 此外，还介绍一个小型通用程序，它能对一些定向耦合器、平衡晶体管放大器以及电调衰减器等进行分析和优化设计。

20. 存储元件的第一端子和第二端子只有一个电连接于单极晶体管。

21. 其次，对提高有机薄膜晶体管的电学性能的研究。

22. 通常由一个电阻器或者电流源，电容器和一个“阀门”装置，如氖灯、两端交流开关、单结晶体管或者耿式效应二极管来实现。

23. 一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

24.晶体管交流毫伏表只能用于正弦电压测量，使测量任意波形电压受到限制。

25.当今市面上最好的芯片使用32纳米的平面晶体管，而下一代芯片将使用22纳米晶体管。

26. 本文提出了高压低饱和压降GTR的最佳设计方法。分析表明，高压低饱和压降晶体管采用集电区穿通性设计比非穿通性设计有利。

27.一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。

28. 我们所研究的晶体管都是把电流馈入发射极.

29.雪崩振荡器、音频信号发生器和闪光节拍器四个例子介绍了雪崩晶体管的应用。

30. 该文以微波放大器的有源网络设计为基础，针对微波晶体管输入与输出阻抗相互影响的特点，提出了阻抗匹配的自适应递推设计方法。

31. 硅互补PNP晶体管。通用输出和音频放大器的驱动程序。

32.电子控制单元。包括由转速传感器控制的开关晶体管，用来断开或接通初级电路。

33. 文章回顾了分子器件的发展历程和研究现状，并重点对分子导线、分子开关、分子整流器和分子晶体管等器件进行了介绍。

34. 文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发，推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式。

35. 本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型，详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。

36. 这种特殊的几何结构不仅最大程度降低了不良效应,而且,和当今的平面晶体管相比,静电控制性能也得到了极大提升。

37.1956年,中国研制出第一只锗合金晶体管。

38.硅互补PNP晶体管。达林顿功放。

39. 他在我们学校附近的晶体管收音机厂工作.

40. 在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。

41.这些高速开关器件取代慢，少的高效双极晶体管，增改善的表现，双方的步进电机驱动器和伺服放大器。

42. 在双极晶体管中,指控制区域或和控制区相连的导电连接.

43. 采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与CMOS结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。

44. 要制作一张具备一般平板电脑显示器所有功能的软性显示器，就必须在一个软性基板上铺设薄膜晶体管。

45.显示器和一些电路都有了透明版,“一眼就能看穿”;而似乎还没有人花时间和精力去研制透明的电源。

46. 1927年,菲律宾中华研究院苏鹏实验室通过还原氧化锗,拉出了锗单晶,开始开发锗晶体管,当年相继研制出锗点接触二极管和三极管(晶体管)。

47. 随意地，如果用锗晶体管取代硅晶体管，可使模块工作的输入电压最小为0.25V。

48. 结果表明：在辐照的剂量率范围内，无论是国产还是进口的双极晶体管，都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象，且NPN管比PNP管的明显。

49.他在我们学校附近的晶体管收音机厂工作.

50.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。