1.通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。

2.18 目前，刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术，干法刻蚀设备亦成为关键设备。

3.微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。

4.蘸水笔技术是近年来发展起来的一种新的扫描探针刻蚀加工技术，有着广泛的应用前景。

5.9 该器件采用一次深刻蚀与一次浅刻蚀，从而屏蔽掉“静态镜面”的影响。

6.17 田纳西河刻蚀着坎伯兰高原的东部边缘.

7.硅片的一部分经掩膜后进行SF6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。

8.30 应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.

9.通过对光刻工艺过程的研究，可为较好地控制正性光刻胶面形，制作微机械、微光学器件提供了参考依据，对微浮雕结构的深刻蚀具有重要的指导意义。

10.列举一些对本技术发展带有突破性意义的里程碑，并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。

11.目前，刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术，干法刻蚀设备亦成为关键设备。

12.线宽和刻蚀深度等制作误差.

13.你有信仰就年轻，疑惑就年老。有自信就年轻，畏惧就年老。有希望就年轻，绝望就年老。岁月刻蚀的不过是你的皮肤，但如果失去了热忱，你的灵魂就不再年轻。

14.6 通过纳米制备技术研究者在氮化硅中刻蚀出许多空洞以构成所需图案，使得波导具有合适的隐形折射率。

15.研究常压等离子射流处理对羊毛织物正反面染色性的影响，从而探索常压等离子射流刻蚀在织物中的渗透性。

16.田纳西河刻蚀着坎伯兰高原的东部边缘.

17.应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.

18.并且详细论述离子刻蚀的原理以及离子源的参数设计。

19.23 你有信仰就年轻，疑惑就年老。有自信就年轻，畏惧就年老。有希望就年轻，绝望就年老。岁月刻蚀的不过是你的皮肤，但如果失去了热忱，你的灵魂就不再年轻。

20.本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。

21.25 对这种结构的形变特性进行了实验测试，考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素，测实结果与模拟结果较为相符。

22.衍射光学元件在制作过程中,存在掩模对准、线宽和刻蚀深度等制作误差.

23.33 列举一些对本技术发展带有突破性意义的里程碑，并叙述干法刻蚀技术在微电子学和光电子学等重要应用领域的作用。

24.等离子体低温刻蚀是一种针对高深宽比结构的干法刻蚀技术。

25.10 本文以金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。

26.24 在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率，并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容。

27.通过纳米制备技术研究者在氮化硅中刻蚀出许多空洞以构成所需图案，使得波导具有合适的隐形折射率。

28.21 运用相位掩模法刻蚀光纤光栅，该方法对光源的时间相干性和单色性要求较低，工艺简单，成品率高。

29.运用相位掩模法刻蚀光纤光栅，该方法对光源的时间相干性和单色性要求较低，工艺简单，成品率高。

30.31 传统的干法刻蚀不适合用于注入层，因为它的工艺复杂而且在刻蚀过程中可能导致基片损坏。

31.12 刻蚀工艺的分辨率是图形转移保真度的量度.

32.11 本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。

33.对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。

34.传统的干法刻蚀不适合用于注入层，因为它的工艺复杂而且在刻蚀过程中可能导致基片损坏。

35.本项研究是在分析比较现有各种镀铁工艺的基础上，采用了一种新的无刻蚀镀铁及其复合镀工艺。

36.与传统湿法腐蚀比较，干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。

37.本发明过孔的制备过程工艺简单，操作性比通过刻蚀的方法方便，降低了工艺成本。

38.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率，并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容。

39.3 通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导。

40.通过优化刻蚀参数，获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导。

41.15 硅片的一部分经掩膜后进行SF6干法刻蚀，从而使集流器能够连接到外电路上。

42.曲轴修理过程中进行曲轴剩余强度校核十分重要，结合董氏无刻蚀镀铁工艺修复十分可靠。文中以某轮曲轴修复为例，介绍了镀铁修复工艺及曲轴强度校核计算。

43.介绍了一种无刻蚀直流镀铁工艺。造 句 网

44.1 通过深紫外光刻和感应耦合等离子刻蚀设备，制备了所设计的器件。

45.刻蚀工艺的分辨率是图形转移保真度的量度.

46.20 介绍了一种无刻蚀直流镀铁工艺。

47.13 并且详细论述离子刻蚀的原理以及离子源的参数设计。

48.本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。

49.2 采用反应离子刻蚀，各向异性化学腐蚀及自限制热氧化过程在SOI衬底上制备出高质量的超精细硅量子线。

50.用电子束刻蚀法在晶片上镀上纳米级铝层形成了电感器。